- 先进制程技术
2nm及以下工艺量产:2025年是先进制程代工厂交付2nm及以下工艺的关键时间点。台积电预计在2025年下半年量产2nm工艺,这是其从FinFet架构转向GAA(全环绕栅极)架构的第一个制程节点,将导入纳米片晶体管技术。三星计划2025年量产2nm制程SF2,并将在2025—2027年陆续推出SF2P、SF2X、SF2Z、SF2A等不同版本,分别面向移动、高性能计算及AI和汽车领域。英特尔的Intel 18A(1.8nm)也将在2025年量产,采用RibbonFET全环绕栅极晶体管架构和PowerVia背面供电技术。
第四代半导体材料崛起:氧化镓(Ga2O3)作为第四代半导体材料,正迅速崛起,预计将在未来与SiC形成直接竞争。其在成本与性能上的优势,使其在电力电子及新能源汽车领域展现出巨大的市场潜力。
- 先进封装技术
2.5D与3D先进封装持续深入:2.5D与3D封装技术在嵌入式领域展现潜力,能够实现更高的集成度和更小的封装尺寸,满足高性能计算和人工智能等应用对芯片性能和功耗的严苛要求。
先进封装产能持续放量:随着市场需求的不断增长,先进封装产能将得到进一步释放,为半导体行业的发展提供有力支撑。
- 人工智能与半导体的深度融合
AI助力HBM定制化兴起:人工智能的快速发展是过去两年半导体创新最重要的驱动力之一。在2025年,人工智能将继续融入更广泛的设备中,特定组件领域对定制的需求日益增长,引起了整个半导体行业的兴趣。例如,Nvidia、Intel和AMD一直负责设计以AI为中心的处理器,包括GPU和CPU,这些组件专门针对自然语言处理、深度学习和生成响应进行了优化。
AI与半导体设计创新:AI技术将推动半导体器件向更大容量、更高速度和更低功耗方向发展,促进芯片设计的创新。