片式氧化锌压敏电阻的烧结工艺介绍
片式氧化锌压敏电阻在工艺上最大的特点是瓷料与内电极必须在较高的温度下共烧形成三明…
技术文章
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常见问题
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限制使用铅、汞、镉、六价铬、多溴联苯（ PBB）和多溴二苯醚（PBDE）等六种有害物质。
一般情况下1kHz下测量出的电容值是1MHz下测量出的1.3倍。
限制使用铅、汞、镉、六价铬、多溴联苯（ PBB）和多溴二苯醚（PBDE）等六种有害物质。
产品的压敏电压会有所降低，漏电流也会增加，因为晶界层被多次冲击后会有一定的损坏，自由电子的跃迁将更容易。
NTC热敏电阻的材料常数B值是一个关键参数，B值是通过测定两个温度下的电阻值的大小来计算的，计算方法为：
式中T为开尔文温度, R1和R2分别是热敏电阻在温度为T1和T2的条件下测定的电阻值。在实验中，通常选择的两个测量温度为25、50℃或者25、85℃。
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